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Deutschland – Baugruppen aus integrierten Schaltungen – Entwicklung SiC-Gapschalter

Udzielony Ogłoszenie o udzieleniu zamówienia Nie opublikowano terminu

Opis

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten

Oficjalne źródło

Źródło: TED — Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

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