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Deutschland – Baugruppen aus integrierten Schaltungen – Entwicklung SiC-Gapschalter

Vergeben Vergabebekanntmachung Keine Frist veröffentlicht

Beschreibung

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten

Amtliche Quelle

Quelle: TED — Tenders Electronic Daily (Publications Office of the EU)

Prüfen Sie alle Angaben stets in der amtlichen Bekanntmachung.

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